در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد و همچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنش های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد با وجودی که رفتار ...

در این مقاله خواص الکترونیکی و نوری پروسکایتهای آلی، در فاز مکعبی ، برای ساختارهای متیل آمونیوم و فورمامیدینیوم سرب یدید ، برومید و کلرید براساس نظریه تابعی چگال و با استفاده از نرم افزار quantum espresso و با انرزی جنبشی قطع 408 الکترون ولت و شبه پتانسیل هایی با تابع PBE و تقریب GGA مورد استفاده قرار گرفته است. در این راستا، ثابت شبکه ، ساختار الکترونیکی ، طیف جذبی ، رسانندگی اپتیکی ، ضریب شکس...

نیترایدهای نیم رسانای گروه iii از جمله گالیم نیتراید، به سبب گاف نواری پهن و مستقیم در ساخت قطعات الکترو اپتیکی مورد توجه هستند. خواص الکتریکی و اپتیکی این نیم رساناها توسط عیوب بلوری تحت تاثیر قرار گرفته و تغییر می کنند. ساختار بلوری ترکیبات گروه iii-v، عیوب بلوری و نظریه تابعی چگالی در این کار پژوهشی معرفی شده است. طبق محاسبات گاف نواری گالیم نیتراید در ساختار ورتزیت ev 8/1 و گاف نواری ساخت...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...

اگر دی الکتریک بین دو ابررسانای اتصال جوزفسون همگن باشد، معادله حاکم بر این سیستم، معادله سینوسی گوردون است. در این مقاله حالتی که در آن دی الکتریک بین دو ابر رسانا ناهمگن و تابع مکان باشد را مورد بررسی قرار می دهیم. سپس پاسخ تحلیلی و عددی آن را به دست می آوریم و آن را تجزیه و تحلیل کرده و رفتار ذره را به کمک پاسخ سالیتونی شبیه سازی می کنیم و سرانجام نشان می دهیم که این پاسخ جایگزیده از قانون د...

به این منظور، در فصل اول به شرح چگونگی ایجاد کربن نانوتیوبها و نیز مفاهیم اپتیکی آنها پرداخته شده است. در فصل دوم با استفاده از مدل تنگ بست قوی، خواص الکتریکی کربن نانوتیوبهای زیگزاگ و آرمچیر بررسی شده است. در ادامه خواص اپتیکی و تاثیرات حضور میدان مغناطیسی خارجی بر روی آنها بررسی شده است. در فصل سوم کربن نانوتیوبهای تک دیواره زیگزاگ و آرمچیر را به صورت استوانه سه بعدی در نظر گرفته ایم و پذیر...

در این مطالعه، خواص الکتریکی و اپتیکی گرافن با زیر لایه BC3 بررسی می شوند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی با پتانسیل کامل، بر پایه نظریه تابعی چگالی انجام شده است. محاسبه انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. محاسبه ساختار نواری نشان می دهد که گرافن با زیرلایه BC3 دارای گاف نواری کوچک به اندازه eV 0.15 در نقطه K است.گاف نواری ایج...

گرافن یکی از نانوساختارهای پرکاربرد در زمینه های مختلفی از جمله حسگری، الکترونیک و غیره می باشد. اخیراً ترکیبات نیمه رسانای دیگری مانند نیتریدبور، کربید سیلیسیم و اکسید برلیوم نیز در این ساختار کریستالی مورد بررسی های تجربی و تئوری دانشمندان قرار گرفته است. در این پروژه با استفاده از محاسبات اصول اولیه در قالب نظریه تابعی چگالی به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی تک لایه گرافنی اکسید برلیوم (beo)و ...